Datasheet下载- 型号： IRL3705ZSPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3705ZSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3705ZSPBF价格参考。International RectifierIRL3705ZSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL3705ZSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL3705ZSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRL3705ZSPBF是一款N沟道MOSFET晶体管，属于FET/MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：IRL3705ZSPBF适用于各种开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，如家用电器、电动工具或机器人中的无刷直流电机（BLDC），这款MOSFET可以作为高效的开关元件来实现精准的速度和扭矩控制。 3. 负载切换：用于便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑及智能手机中的负载切换电路，确保快速响应时间的同时降低功耗。 4. 电池保护与管理系统（BMS）：在锂电池或其他可充电电池组中用作充放电路径上的保护开关，防止过流、短路等情况发生。 5. 汽车电子：尽管具体数据需查阅规格书确认是否满足车规级要求，但在非关键性车载应用比如灯光控制、座椅调整等方面也可能有所涉及。 6. 通信基础设施：基站、路由器等通讯设备内部的信号处理单元可能会采用此类器件来进行电流放大或者开关操作。 总之，凭借其优异的电气性能参数，例如较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的雪崩耐量能力，IRL3705ZSPBF非常适合需要高效能、高可靠性的中低电压环境下的多种工业、消费类以及商业用途。不过，在实际设计过程中还需要考虑散热条件、工作频率等因素以确保最佳表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 86 A |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL3705ZSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL3705ZSPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 240 ns |
| 下降时间 | 83 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 52A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRL3705ZSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl3705z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl3705z_s_l.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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