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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7809TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7809TR价格参考。International RectifierIRF7809TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7809TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7809TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7809TR 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET,具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件广泛应用于需要高效能电源管理与负载开关控制的场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源管理模块,用于电池供电系统的正向通路控制或反向电流保护;在DC-DC转换器中作为同步整流开关,提升转换效率;在热插拔电路和过流保护电路中作为高速开关元件,实现对负载的快速通断控制;还可用于电机驱动、LED驱动及各类低电压、中等电流的开关电源系统。 IRF7809TR采用先进的沟槽技术,在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少功耗和发热,提高系统能效。其SOT-23封装形式小巧,适合空间受限的高密度PCB设计。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种环境。 综上所述,IRF7809TR凭借其高性能与紧凑封装,特别适用于电池供电设备和高效电源管理系统中的开关与保护应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7809TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 15A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17.6A (Ta) |