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  • 型号: IRF7809TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7809TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7809TR价格参考。International RectifierIRF7809TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7809TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7809TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7809TR 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET,具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件广泛应用于需要高效能电源管理与负载开关控制的场景。

典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源管理模块,用于电池供电系统的正向通路控制或反向电流保护;在DC-DC转换器中作为同步整流开关,提升转换效率;在热插拔电路和过流保护电路中作为高速开关元件,实现对负载的快速通断控制;还可用于电机驱动、LED驱动及各类低电压、中等电流的开关电源系统。

IRF7809TR采用先进的沟槽技术,在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少功耗和发热,提高系统能效。其SOT-23封装形式小巧,适合空间受限的高密度PCB设计。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种环境。

综上所述,IRF7809TR凭借其高性能与紧凑封装,特别适用于电池供电设备和高效电源管理系统中的开关与保护应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7809TR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7300pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

86nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 毫欧 @ 15A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

3.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17.6A (Ta)

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