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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B101Q2-LHXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B101Q2-LHXI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B101Q2-LHXI封装/规格:存储器, NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN(5x6)。您可以下载CY14B101Q2-LHXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14B101Q2-LHXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B101Q2-LHXI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),容量为1 Mbit(128K × 8),采用SOIC-32封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),支持并行接口。 其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM(基于铁电技术或类似高可靠性非易失机制),上电后可自动恢复,兼具SRAM的高速读写(访问时间≤35 ns)与EEPROM的断电数据保持能力(典型保持时间达20年)。 典型应用场景包括: ✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保意外断电不丢数; ✅ 通信基础设施:基站、交换机、光模块中的配置寄存器缓存与配置备份; ✅ 医疗电子设备:如监护仪、影像设备,用于实时记录患者参数或系统设置,满足IEC 62304安全要求; ✅ 汽车电子(符合AEC-Q100 Grade 2):车载仪表盘、ADAS控制单元中存储里程、诊断码(DTC)、标定数据等需长期可靠保存的信息; ✅ 金融终端与POS机:保障交易流水、密钥状态等敏感数据的断电完整性。 该器件替代传统带电池SRAM或外部EEPROM+控制逻辑方案,简化设计、提升可靠性、降低BOM成本与维护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 40MHZ 8DFNNVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Cypress Semiconductor CY14B101Q2-LHXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=43787 |
| 产品型号 | CY14B101Q2-LHXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=48110 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) |
| 其它名称 | 428-3280 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工作电压 | 3 V |
| 工作电流 | 10 mA |
| 工厂包装数量 | 308 |
| 接口 | SPI 串行 |
| 接口类型 | SPI |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 308 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 系列 | CY14B101Q2 |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 速度 | 40MHz |