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Datasheet下载- 型号： PD54008L-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD54008L-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD54008L-E价格参考。STMicroelectronicsPD54008L-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 500MHz 15dB 8W PowerFLAT™（5x5）。您可以下载PD54008L-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD54008L-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD54008L-E是一款射频（RF）增强型N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高频和射频领域。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器：PD54008L-E适用于设计射频功率放大器电路，特别是在无线通信系统中，如蜂窝基站、无线电发射机等。它能够在高频率下提供高效的功率输出，同时保持较低的热损耗。 2. 射频开关：该器件可以用于射频开关应用，例如在多频段通信设备中实现不同频段之间的快速切换。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合这类应用。 3. 无线充电模块：PD54008L-E可用于无线充电系统的射频前端，帮助提高能量传输效率并减少发热。其出色的线性度和稳定性有助于确保充电过程的安全性和可靠性。 4. 射频识别（RFID）读写器：在RFID系统中，PD54008L-E可以作为功率放大器或开关元件，用于增强信号强度和范围，从而提升读取距离和准确性。 5. 医疗设备中的射频模块：在一些医疗设备如超声波成像仪、微波治疗仪等需要射频功能的地方，PD54008L-E能够提供稳定的性能表现，支持精确的操作。 6. 工业自动化与控制：对于涉及无线数据传输或远程控制的工业应用场景，PD54008L-E可用来构建高效可靠的射频通信链路，确保指令准确无误地传达给目标设备。 总之，PD54008L-E凭借其卓越的电气参数和优异的射频特性，在众多对高频性能有严格要求的应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD54008L-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerFLAT™（5x5） |
| 其它名称 | 497-6471-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF124620?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 配用 | /product-detail/zh/STEVAL-TDR003V1/497-6457-ND/1856279 |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | 5A |
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