ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7113DN-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7113DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7113DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7113DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7113DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7113DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7113DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7113DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于多种电力电子应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI7113DN-T1-GE3常用于DC-DC转换器、降压/升压转换器等电源管理电路中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。特别是在便携式设备、笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理系统中，这款MOSFET可以有效降低功耗并延长电池寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵和伺服电机等，SI7113DN-T1-GE3能够提供高效、可靠的开关性能。其快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），同时低导通电阻可以降低发热，确保电机在长时间运行中的稳定性和可靠性。 3. 负载开关 该MOSFET也可用作负载开关，控制电流流向不同的负载。例如，在多通道电源分配系统中，它可以作为开关元件，实现对不同负载的精确控制。其低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合空间受限的应用，如消费电子产品和工业控制系统。 4. 电池保护 在电池管理系统（BMS）中，SI7113DN-T1-GE3可用于过流保护、短路保护和过温保护。其快速响应时间和低导通电阻可以在异常情况下迅速切断电流，保护电池免受损坏。此外，它还可以用于电池充电电路中，确保充电过程的安全性和效率。 5. 通信设备 在通信设备如路由器、交换机和基站中，SI7113DN-T1-GE3可用于电源管理和信号切换。其低寄生电容和快速开关特性有助于减少信号延迟和失真，提升通信系统的性能。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，如电动窗、座椅调节、空调系统等，SI7113DN-T1-GE3可以提供高效、可靠的开关功能。其耐高温特性和抗电磁干扰能力使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之，SI7113DN-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，广泛应用于各种需要高效、可靠开关操作的场景中，特别适合对能效和空间有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73770 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7113DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7113DN-T1-GE3SI7113DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 134 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 134 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 134 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7113DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.2A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7113DN-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
