Datasheet下载- 型号： IRFBC30STRLPBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC30STRLPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC30STRLPBF价格参考。VishayIRFBC30STRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBC30STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBC30STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBC30STRLPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于中低功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，用于高效能的电能转换。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，用于控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板和便携式电子产品，实现低功耗管理。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器或变频电路中用于功率开关，实现交流电与直流电之间的转换。 5. LED 照明驱动：用于 LED 灯具的恒流驱动电路中，提供稳定高效的电源控制。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频率开关操作，且封装小巧（如 PowerPAK® SC-70），适用于空间受限的设计。其无铅环保封装也符合现代电子产品对环保的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAKMOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC30STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBC30STRLPBFIRFBC30STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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