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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH12N100Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH12N100Q价格参考。IXYSIXTH12N100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH12N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH12N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH12N100Q是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET分类。该器件具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点,广泛应用于需要高效能功率控制的各种电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能量转换效率和减小体积。 2. 电机驱动系统:适用于工业自动化设备、机器人及电动工具中的电机控制模块,提供快速开关与稳定输出。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中作为核心功率开关元件,实现电能形式的高效转换。 4. 汽车电子:用于电动汽车(EV)、混合动力车(HEV)的电池管理系统、车载充电器及其它高压控制电路。 5. 工业控制系统:如PLC、伺服驱动器等设备中,作为高速开关元件使用。 IXTH12N100Q具备优良的热稳定性和可靠性,适合在高温和高负载环境下运行,是许多高要求工业和电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH12N100Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |