Datasheet下载- 型号： ZVN2110A
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2110A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2110A价格参考￥1.70-￥2.83。Diodes Inc.ZVN2110A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN2110A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN2110A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN2110A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - ZVN2110A 的低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，作为功率开关或同步整流元件。 - 它可以用于电池充电电路中，控制电流流向并实现高效的能量转换。 2. 负载开关 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，ZVN2110A 可用作负载开关，动态地接通或断开负载，以减少功耗并提高系统效率。 - 其低导通电阻有助于降低开关过程中的功率损耗。 3. 电机驱动 - ZVN2110A 可用于小型直流电机的驱动电路中，例如玩具、风扇或其他低功率电机应用。通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机的速度和方向。 - 它能够承受一定的瞬态电流冲击，适合短时间高电流需求的应用。 4. 信号切换 - 在音频或视频信号切换电路中，ZVN2110A 可用作信号路径的选择开关，确保信号传输的低失真和低噪声。 - 其低漏电流特性有助于保持信号完整性。 5. 保护电路 - ZVN2110A 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中。当检测到异常情况时，可以通过关闭 MOSFET 来保护后端电路。 - 它还可以用作电子保险丝，在电流超过设定值时切断电路。 6. 照明控制 - 在 LED 照明应用中，ZVN2110A 可用于驱动 LED 或调节 LED 的亮度（通过 PWM 控制）。 - 其小尺寸封装（如 SOT-23）非常适合对空间要求严格的照明设计。 7. 消费电子产品 - ZVN2110A 广泛应用于各种消费电子产品中，如遥控器、智能家居设备、可穿戴设备等，提供高效、可靠的开关功能。 综上所述，ZVN2110A 凭借其低导通电阻、小封装尺寸和高可靠性，适用于多种低功率、高效能的电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
| Id-连续漏极电流 | 320 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN2110A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN2110A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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