Datasheet下载- 型号： 70V659S12DRI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供70V659S12DRI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 70V659S12DRI价格参考。Integrated Device Technology70V659S12DRI封装/规格：存储器， SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 12ns 208-PQFP（28x28）。您可以下载70V659S12DRI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有70V659S12DRI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/70v6595857-datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 70V659S12DRI |
| 产品型号 | 70V659S12DRI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | PQFP-208 |
| 工厂包装数量 | 6 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 515 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最大 | 3.45 V |
| 电源电压-最小 | 3.15 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 70V659 |
| 组织 | 128 k x 36 |
| 访问时间 | 12 ns |
| 零件号别名 | 70V659 IDT70V659S12DRI |
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