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2SJ168TE85LF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ168TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ168TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ168TE85LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59。您可以下载2SJ168TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SJ168TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SJ168TE85LF的晶体管属于东芝(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的P沟道MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)等,用于高效能电源转换与控制。 2. 负载开关:作为电子开关控制负载的通断,常见于便携式设备如笔记本电脑、平板和智能手机中。 3. 马达驱动电路:在小型电机控制应用中作为开关元件使用,实现对电机启停和方向的控制。 4. 逆变器与转换器:用于UPS(不间断电源)、电池管理系统(BMS)及光伏逆变器等新能源相关设备中。 5. 工业控制设备:广泛应用于自动化控制系统、传感器模块以及工业仪表中,作为高速开关元件。 该器件采用SOP封装,适合表面贴装工艺,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于中低功率应用场景。由于其低导通电阻和快速开关特性,有助于提升系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SJ168TE85LF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2欧姆 @ 50mA, 10V |
供应商器件封装 | SC-59 |
其它名称 | 2SJ168TE85LFCT |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA(Ta) |