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IRFU13N20DPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU13N20DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU13N20DPBF价格参考。International RectifierIRFU13N20DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU13N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU13N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFU13N20DPBF是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的分析: 1. 开关电源(SMPS) - IRFU13N20DPBF适用于开关电源中的功率转换部分。由于其高压特性(额定电压为200V),它能够在高频开关条件下高效工作,适用于各种开关模式电源设计。 - 典型应用包括适配器、充电器和工业电源。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它适合中小型电机驱动场景,例如家用电器(如风扇、水泵)和工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 - IRFU13N20DPBF可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。 - 其高耐压能力和低导通电阻使其在逆变器电路中表现优异,能够提高效率并减少能量损耗。 4. DC-DC转换器 - 在DC-DC转换器中,这款MOSFET可以作为主开关或同步整流元件,实现高效的电压转换。 - 常见于汽车电子、通信设备和消费电子产品的电源管理模块。 5. 负载开关 - 用于需要快速开启和关闭负载的应用场合,例如电池供电设备中的负载开关。 - 其低导通电阻特性有助于降低功耗,延长电池寿命。 6. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护等电路中,通过快速响应和切断电流来保护系统免受损害。 - 适用于电源管理系统和工业控制设备。 总结 IRFU13N20DPBF凭借其高压、低导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器、负载开关和保护电路等领域。这些应用场景充分发挥了其高效、可靠和耐用的特点,满足了多种电子设备和系统的功率管理需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A I-PAKMOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU13N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU13N20DPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 235 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 235 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU13N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 6.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |