Datasheet下载- 型号： IRFZ44NSTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ44NSTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ44NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRFZ44NSTRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ44NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ44NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFZ44NSTRRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) IRFZ44N 适合用于开关电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on) 最低可达 0.058 Ω）和高电流处理能力（最大漏极电流 Id = 49 A），使其在高频开关应用中表现出色。 2. 电机驱动 该 MOSFET 常用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。其耐压能力（Vds = 55 V）足以应对大多数低压电机驱动场景。 3. 逆变器电路 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRFZ44N 可用作功率级开关，将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高效率。 4. 电池管理系统 (BMS) IRFZ44N 可用于电池组的充放电保护电路中，作为高侧或低侧开关，控制电池与负载或充电器之间的连接。 5. LED 驱动电路 在大功率 LED 照明系统中，IRFZ44N 能够用作开关元件，实现恒流驱动或调光功能。其低导通电阻可减少发热，提高系统效率。 6. 电子负载 该 MOSFET 可用于模拟电子负载，通过调节占空比来动态改变负载电流，适用于测试电源、电池等设备。 7. 继电器替代 IRFZ44N 可以替代机械继电器，用于需要频繁开关的场合，如汽车电子、家电控制等。相比继电器，MOSFET 具有更快的响应速度和更长的使用寿命。 总结来说，IRFZ44NSTRRPBF 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种功率转换和控制领域，特别是在需要高效、低损耗开关操作的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 49 A |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ44NSTRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ44NSTRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz44ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz44ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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