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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02T1价格参考。ON SemiconductorNTR1P02T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTR1P02T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR1P02T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的NTR1P02T1是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、小封装和良好的热稳定性,适用于对空间和效率有要求的电路设计。 该器件典型应用场景包括: 1. 电池供电设备:如便携式电子产品、手持设备等,用于电源开关控制,降低功耗,延长电池寿命。 2. DC-DC转换器:在同步整流电路中作为高边开关,提高转换效率。 3. 负载开关控制:用于控制不同电路模块的通断,实现电源隔离或热插拔功能。 4. 电机驱动和继电器替代:作为电子开关替代机械继电器,提高系统可靠性并减小体积。 5. 汽车电子系统:如车载电源管理系统、LED照明控制等,满足汽车环境对稳定性和耐用性的要求。 NTR1P02T1采用SOT-223封装,适合表面贴装,广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTR1P02T1 |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NTR1P02T1OS |
功率-最大值 | 400mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Ta) |