ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTHS4101PT1G
Datasheet下载- 型号： NTHS4101PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NTHS4101PT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS4101PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS4101PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHS4101PT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Tj） 1.3W（Ta） ChipFET™。您可以下载NTHS4101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS4101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFETMOSFET -20V -6.7A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.7 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHS4101PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHS4101PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS4101PT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Tj） |
| 系列 | NTHS4101P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain |
