Datasheet下载- 型号： IRFH7914TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7914TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7914TRPBF价格参考。International RectifierIRFH7914TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH7914TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH7914TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFH7914TRPBF的MOSFET，是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该器件适用于开关电源中的高频开关应用，例如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性可提高效率并降低功耗。 - 电池充电器：用于便携式设备、电动车或工业设备的电池充电器中，作为功率开关或同步整流元件。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）和电动车（如电动自行车、滑板车）的BLDC电机驱动中，IRFH7914TRPBF可用作功率级开关。 - 步进电机控制：在工业自动化和机器人技术中，用于精确控制步进电机的速度和方向。 3. 逆变器与变频器 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中，实现高效的能量转换。 - 家电变频器：如空调、冰箱等变频家电中，用作功率输出级的开关器件，以调节压缩机或风扇的速度。 4. 负载切换与保护 - 负载开关：在服务器、通信设备和消费电子产品中，用于动态管理负载电流，确保系统的稳定运行。 - 过流保护：利用其低导通电阻和高耐压特性，在电路中提供过流保护功能。 5. 汽车电子 - 车载电子系统：如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等，该MOSFET能够承受较高的电压和电流波动。 - 混合动力/电动汽车 (HEV/EV)：在车载充电器 (OBC) 和DC-DC转换器中，用于高效的能量管理和功率传输。 6. 其他应用 - LED驱动：在大功率LED照明系统中，作为开关元件，用于调光和恒流控制。 - 不间断电源 (UPS)：在UPS系统中，用于逆变和电池管理模块，确保供电的连续性和稳定性。 IRFH7914TRPBF凭借其出色的电气性能（如低Rds(on)、高击穿电压和快速开关速度），能够在上述场景中实现高效、可靠且紧凑的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7914TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7914TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 8.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH7914TRPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 77 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta）， 35A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh7914pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh7914pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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