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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3303D1S由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3303D1S价格参考。International RectifierIRL3303D1S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3303D1S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3303D1S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRL3303D1S 是一款低电压、高电流能力的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件广泛应用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC 转换器与同步整流器:适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效能电源模块,实现电压转换和稳压功能。 2. 负载开关与电源管理:用于智能电池管理系统、移动设备及便携式电子产品中的电源控制,具备快速开关能力和低导通电阻。 3. 马达驱动与功率控制:在小型电机控制电路、电动工具或无人机中作为功率开关使用,提供稳定的电流承载能力。 4. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块等,因其具有较高的可靠性和热稳定性,适合在复杂环境中运行。 5. 工业自动化设备:用于PLC、传感器模块及工业电源中,实现对高电流负载的精确控制。 该MOSFET采用小型化封装,适合高密度PCB布局,同时具备低栅极电荷和低导通电阻的特点,有助于提升系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL3303D1S |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRL3303D1S |
功率-最大值 | 68W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |