ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTD2955T4G
Datasheet下载- 型号： NTD2955T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD2955T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD2955T4G价格参考￥2.02-￥7.16。ON SemiconductorNTD2955T4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK。您可以下载NTD2955T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD2955T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD2955T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高可靠性和高效能开关控制的电源管理系统中。 其主要应用场景包括：电源开关电路，如电池供电设备中的极性保护和负载开关；便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、移动电源）中的电源管理模块，用于实现低功耗待机与快速响应切换；工业控制设备中的直流电机驱动和继电器驱动电路；以及各类消费类电子和家用电器中的DC-DC转换器和电压反向保护电路。 NTD2955T4G具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压（-60V漏源击穿电压）和连续大电流能力，适合在高效率、小体积设计中使用。其采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的散热性能，适用于中等功率场景。 此外，该MOSFET支持表面贴装工艺，便于自动化生产，在汽车电子（如车载电源系统）中也常用于非安全关键类的辅助电源控制。由于其可靠的性能和成本优势，NTD2955T4G在工业、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAKMOSFET -60V -12A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD2955T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD2955T4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD2955T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 功率耗散 | 55 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 155 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | NTD2955 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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