Datasheet下载- 型号： FDT1600N10ALZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT1600N10ALZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT1600N10ALZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDT1600N10ALZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDT1600N10ALZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT1600N10ALZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT1600N10ALZ 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率管理与开关控制的电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源模块中，提升能量转换效率。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路，实现快速开关和高效能运行。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、LED车灯驱动等，满足汽车环境对可靠性和稳定性的高要求。 4. 工业自动化：用于PLC、工业电源、伺服驱动器等设备中，实现高频率开关与负载控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、智能家电、电源插座等，支持节能与小型化设计。 该MOSFET具备高耐压（100V）与较强电流承载能力，适合中高功率应用场景，同时支持表面贴装，便于自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V SOT-223-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDT1600N10ALZ |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 2.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FDT1600N10ALZDKR |
| 功率-最大值 | 10.42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Tc） |
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