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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222ATT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222ATT1G价格参考¥0.10-¥0.10。ON SemiconductorMMBT2222ATT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 150mW 表面贴装 SC-75,SOT-416。您可以下载MMBT2222ATT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2222ATT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBT2222ATT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号放大和开关应用的常用器件。该型号采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。 典型应用场景包括: 1. 信号放大:用于音频放大器、传感器信号调理电路等低频小信号放大场合; 2. 开关控制:在数字电路中作为电子开关,驱动LED、继电器、小功率电机等负载; 3. 电源管理:用于DC-DC转换器、电压调节电路中的通断控制; 4. 接口电路:实现微控制器与外围设备之间的电平转换或电流驱动增强; 5. 便携设备:因其小型封装和低功耗特性,常见于手机、可穿戴设备、无线模块等空间受限产品中。 MMBT2222ATT1G具有较高的直流电流增益(hFE)和快速开关响应能力,工作温度范围宽(-55°C 到 +150°C),可靠性高,且符合RoHS环保要求,适合工业级和汽车级应用。其“TT1G”后缀表示为无铅、绿色封装,适用于对环保和长期稳定性有要求的项目。 综上,该晶体管是一款性价比高、应用广泛的通用型器件,特别适合需要小型化、高性能开关与放大功能的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 600MA SC75-3两极晶体管 - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2222ATT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT2222ATT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 其它名称 | MMBT2222ATT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | MMBT2222AT |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 75 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |