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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STU10NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU10NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU10NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTU10NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STU10NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU10NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STU10NM60N的MOSFET，属于高压、高速功率场效应晶体管，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件具备10A电流承载能力与600V耐压特性，适合在高电压、中等功率环境下稳定工作。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC转换器中，如电视、电脑电源、充电器等设备的主开关管，因其具备快速开关能力和低导通损耗，有助于提升电源效率。 2. 照明系统：适用于电子镇流器、LED驱动电源及节能灯电路，支持高频工作，有助于减小磁性元件体积，提高系统能效。 3. 电机驱动：可用于小型工业电机、家用电器（如风扇、洗衣机）中的电机控制模块，实现高效调速与节能运行。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中作为核心开关元件，承担直流到交流的转换任务，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 消费类与工业电源：如适配器、电源模块等，满足能效标准（如Energy Star），适用于对EMI和功耗有要求的设计。 STU10NM60N采用TO-220或类似封装，便于散热设计，适合通孔安装，在兼顾性能与成本的同时，广泛服务于中低端功率应用领域。其坚固的结构和意法半导体一贯的品质保障，使其在工业、消费电子市场中具有较高的可靠性和市场认可度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STU10NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12692-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223533?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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