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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STH270N4F3-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH270N4F3-2价格参考。STMicroelectronicsSTH270N4F3-2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STH270N4F3-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH270N4F3-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STH270N4F3-2是一款N沟道增强型MOSFET,属于40V耐压系列,具有低导通电阻、高电流处理能力及优异的开关性能。该器件采用PowerFLAT 5x6封装,适用于对空间和散热有较高要求的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路中,提升电源转换效率,常见于服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机驱动:适用于中小型直流电机、步进电机的驱动电路,如电动工具、家用电器(扫地机器人、风扇等),因其低RDS(on)可减少发热,提高驱动效率。 3. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池保护板中作为充放电控制开关,提供过流与短路保护功能,适用于电动自行车、便携式储能设备等。 4. 热插拔与负载开关:用于服务器背板、工业控制器中的热插拔电源管理,实现平稳上电与浪涌电流抑制。 5. 汽车电子:虽非车规级主控器件,但在部分车载辅助系统(如车载照明、小型泵阀控制)中也有应用,得益于其高可靠性与紧凑封装。 该MOSFET具备良好的热性能和抗瞬态能力,适合高密度、高效率设计需求,是工业、消费类及部分车载电子系统中的理想功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 180 A STripFET III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH270N4F3-2STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STH270N4F3-2 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 180 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-13773-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | STripFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | H2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |
| 系列 | STH270N4F3-2 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |