【未分类_IRFS7534TRLPBF】封装/厂家_IRFS7534TRLPBF中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFS7534TRLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS7534TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS7534TRLPBF价格参考￥6.62-￥7.07。International RectifierIRFS7534TRLPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFS7534TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS7534TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFS7534TRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单个器件类型。以下是该型号MOSFET的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器：用于高效电压转换，适用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备中的电源管理系统。
   - 开关电源（SMPS）：作为高频开关元件，应用于适配器、充电器和工业电源中。
   - 电池管理：用于电动车、储能系统和消费电子产品的电池充放电控制。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在家电（如空调、冰箱、洗衣机）、电动工具和电动车中，用于高效控制电机速度和方向。
   - 步进电机驱动：应用于打印机、扫描仪等精密控制场景。

 3. 逆变器与变频器
   - 太阳能逆变器：将直流电转换为交流电，用于光伏发电系统。
   - 工业变频器：调节电机转速和扭矩，广泛应用于工厂自动化设备。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统：用于汽车的启动、停止系统（Start-Stop System）、LED照明驱动和雨刷控制。
   - 电动车动力系统：在电动车和混合动力车中，用于主驱逆变器和辅助系统的功率控制。

 5. 通信设备
   - 基站电源：为通信基站提供高效的电源转换和管理。
   - 信号放大器：在射频和微波领域中，用于功率放大。

 6. 消费电子产品
   - 游戏机和多媒体设备：用于散热风扇控制和电源管理。
   - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，用于功率调节和节能控制。

 技术特点支持的应用优势：
- 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。
- 高开关频率：适合高频应用，如开关电源和DC-DC转换器。
- 高耐压能力：能够在高压环境下稳定工作，适用于工业和汽车领域。
- 低栅极电荷：加快开关速度，降低开关损耗。

综上所述，IRFS7534TRLPBF是一款高性能MOSFET，适用于多种需要高效功率转换和控制的场景，尤其在工业、汽车和消费电子领域具有广泛的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N CH 60V 195A D2PAKMOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	195 A
Id-连续漏极电流	195 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS7534TRLPBFHEXFET®， StrongIRFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFS7534TRLPBF
Pd-PowerDissipation	294 W
Pd-功率耗散	294 W
Qg-GateCharge	186 nC
Qg-栅极电荷	186 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3.7 V
上升时间	134 ns
下降时间	93 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	10034pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	279nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.4 毫欧 @ 100A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
典型关闭延迟时间	118 ns
功率-最大值	294W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	800
正向跨导-最小值	498 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	195A （Tc）
配置	Single