ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NDS9948
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS9948由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS9948价格参考。Fairchild SemiconductorNDS9948封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 2.3A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载NDS9948参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS9948 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOICMOSFET Dual PCh PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS9948PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDS9948 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 138 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 138 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 394pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 2.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NDS9948CT |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 系列 | NDS9948 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | NDS9948_NL |