Datasheet下载- 型号： SI3456BDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456BDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3456BDV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3456BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3456BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3456BDV-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于表面贴装的小信号MOSFET器件，常用于低电压、低功耗的开关和电源管理应用。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统中的电源控制、以及各类需要高效能开关功能的电路。 该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中，用于控制电源路径、实现电路模块的上电/断电管理，从而延长电池寿命。此外，SI3456BDV-T1-E3也广泛应用于DC-DC转换器、电压反转电路及电机驱动中的低端开关。 由于采用SOT-23小型封装，适合高密度PCB布局，是消费类电子产品中理想的功率开关解决方案。其可靠性高、响应速度快，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业与消费级应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3456BDV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3456BDV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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