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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFR4105ZTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105ZTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105ZTRRPBF价格参考。International RectifierIRFR4105ZTRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR4105ZTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4105ZTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFR4105ZTRRPBF是一款P沟道MOSFET晶体管，主要应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等场合。 该型号常见于便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理系统。此外，它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统（如车身控制模块和车载充电系统）以及各类电源适配器中，作为高效开关元件使用。 由于其封装小巧、性能稳定，IRFR4105ZTRRPBF在需要节省空间和提高能效的设计中尤为受欢迎。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR4105ZTRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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