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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z18VST1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z18VST1G价格参考¥0.06-¥0.10。ON SemiconductorMM3Z18VST1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 18V 300mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z18VST1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z18VST1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z18VST1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景如下:
1. 电压稳压
- MM3Z18VST1G 的齐纳电压为 18V,适合用于电路中的电压稳压。它可以通过钳位功能将输出电压稳定在 18V 左右,适用于对电压要求较为稳定的场景,例如:
- 电源稳压模块
- 低功耗设备的参考电压源
2. 过压保护
- 在电子电路中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出电压超过额定值。例如:
- 保护敏感的集成电路(IC)免受过高电压的影响
- 在信号传输线路中提供过压保护
3. 信号电平调整
- 用于将输入信号的电平限制在一定范围内,确保后续电路正常工作。例如:
- 音频信号处理电路
- 数据通信接口中的电平转换
4. 基准电压源
- 利用其稳定的齐纳电压特性,作为基准电压源,用于比较器、运算放大器等电路中。例如:
- 模拟电路中的参考电压生成
- ADC/DAC 转换电路中的基准电压
5. 浪涌抑制
- 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,MM3Z18VST1G 可以吸收短暂的高电压脉冲,保护下游电路。例如:
- 电机驱动电路中的反电动势抑制
- 开关电源中的浪涌保护
6. 汽车电子
- 由于其稳定性,该器件常用于汽车电子系统中,例如:
- 车载传感器的电压调节
- 照明系统的过压保护
特性总结:
- 齐纳电压:18V(±5%)
- 功率耗散:最大 400mW
- 封装形式:SOD-123FL 小型表面贴装封装
- 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
这种二极管因其小型化设计和较高的可靠性,非常适合消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 200MW SOD323稳压二极管 18V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z18VST1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MM3Z18VST1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 12.6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes- Zener |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 18V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 14.2 mV/K |
| 系列 | MM3Z18VS |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 45 欧姆 |
| 齐纳电压 | 17.955 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |