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  • 型号: CSD17309Q3
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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CSD17309Q3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17309Q3由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17309Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD17309Q3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)。您可以下载CSD17309Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17309Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 60A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 库存产品核实请求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17309Q3NexFET™

数据手册

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产品型号

CSD17309Q3

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.8 W

Pd-功率耗散

2.8 W

Qg-栅极电荷

7.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 8 V, + 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V

上升时间

9.9 ns

下降时间

3.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1440pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.4 毫欧 @ 18A,8V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON

其它名称

296-27250-1

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17309Q3

功率-最大值

2.8W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A(Ta), 60A(Tc)

系列

CSD17309Q3

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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