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  • 型号: IRFZ34NSTRRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ34NSTRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ34NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRFZ34NSTRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFZ34NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ34NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

700 pF

描述

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

29 A

Id-连续漏极电流

29 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ34NSTRRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFZ34NSTRRPBF

Pd-PowerDissipation

68 W

Pd-功率耗散

68 W

Qg-GateCharge

22.7 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

49 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

3.8W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

6.5 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

29A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz34ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz34ns.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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