Datasheet下载- 型号： STP35NF10
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP35NF10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP35NF10价格参考。STMicroelectronicsSTP35NF10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP35NF10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP35NF10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP35NF10是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的能量转换，适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机驱动电路中作为功率开关，用于工业自动化设备、电动工具和汽车电机控制。 3. 逆变器与变频器：用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器及变频器中，实现电能形式的转换与调节。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）及车载充电器等应用，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 负载开关与保护电路：用于高电流负载的开关控制，如LED照明、电池充放电管理等场景。 该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能，适合高频开关操作，是高效功率系统设计中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP35NF10STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP35NF10 |
| Pd-PowerDissipation | 115 W |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9991 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-2645-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64723?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.240 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | STP35NF10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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