Datasheet下载- 型号： SI7102DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7102DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7102DN-T1-E3价格参考。VishaySI7102DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7102DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7102DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7102DN-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适用于低电压、高效率的电源管理场景。该器件常用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，作为负载开关、电源开关或电池管理系统的控制元件。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功耗，提升能效，特别适合对功耗敏感的应用。 SI7102DN-T1-E3 还广泛应用于DC-DC转换器、电压反转电路以及信号切换电路中，因其快速开关特性，能够提高系统响应速度与稳定性。此外，该MOSFET采用小型SOT-23封装，节省PCB空间，非常适合高密度布局的消费类电子产品。 由于其可靠的性能和稳定的电气参数，该型号也常见于工业控制模块、通信设备和电源管理IC周边电路中，用作电平转换或驱动小功率负载。总体而言，SI7102DN-T1-E3 凭借低电压驱动能力、小型封装和高可靠性，广泛服务于需要高效、紧凑设计的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7102DN-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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