ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMH10,125
Datasheet下载- 型号： PUMH10,125
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH10,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH10,125价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsPUMH10,125封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH10,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH10,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH10,125 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、MCU）GPIO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路设计，提升可靠性； 2. LED恒流/开关控制：适用于低电流（IC max ≈ 100 mA）LED指示灯或段式数码管的段选驱动； 3. 信号切换与缓冲：在消费电子（如电视、机顶盒、打印机）中用作小信号开关或电平整形，降低布板复杂度； 4. 电源管理辅助电路：如负载开关使能控制、电源状态指示、上电复位信号调理等； 5. 工业I/O模块：作为PLC数字输入隔离前端或输出驱动级，增强抗干扰能力与一致性。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）封装，体积小、功耗低（Ptot≈300 mW），支持-55°C至+150°C宽温工作，具备高ESD防护（HBM >8 kV），适合空间受限、需高可靠性和快速开发的嵌入式系统。注意其非功率器件，不适用于电机驱动或大电流负载直接驱动。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMH10,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934056189125 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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