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产品简介:
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FQD17N08LTF 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器,用于高效能开关电源中的主开关元件。 2. DC-DC转换器:在车载电源系统、工业电源或电池供电设备中,作为升压(Boost)或降压(Buck)转换器中的关键开关元件,实现高效能电压转换。 3. 电机驱动电路:可用于小型电机、风扇或泵的驱动控制,如在电动工具、家电或工业自动化设备中。 4. 负载开关与电源管理:在需要高效能负载开关控制的系统中,例如服务器、通信设备或嵌入式系统中,用于控制电源通断,降低待机功耗。 5. 逆变器与UPS系统:在小型逆变器或不间断电源(UPS)中,作为功率开关用于DC-AC转换,支持高效能电能转换。 该MOSFET具备低导通电阻、高频率响应和良好的热性能,适合高频开关应用,同时支持表面贴装,便于自动化生产与紧凑设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD17N08LTF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 6.45A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.9A (Tc) |