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IRF2804S-7PPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2804S-7PPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2804S-7PPBF价格参考。International RectifierIRF2804S-7PPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)。您可以下载IRF2804S-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF2804S-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF2804S-7PPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 IRF2804S-7PPBF常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关管或同步整流器。它能够承受较高的电流和电压,适合在高功率密度的设计中使用。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在直流电机、步进电机或无刷直流电机的驱动电路中,IRF2804S-7PPBF可以作为功率开关,用于控制电机的启动、停止、正反转以及调速。其快速开关特性和低损耗特性使得电机驱动更加高效和平稳。 3. 逆变器与变频器 该MOSFET适用于逆变器和变频器中的功率级,用于将直流电转换为交流电或调节交流电的频率。其出色的开关性能和耐压能力使其能够在高压、高频的工作环境中稳定运行。 4. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRF2804S-7PPBF可用于电池充放电的控制,防止过充、过放以及短路等异常情况。它还可以用于电池组之间的均衡电路,确保每个电池单元的电压保持一致,延长电池寿命。 5. LED驱动 在大功率LED照明系统中,IRF2804S-7PPBF可以用作恒流源或PWM调光控制器,确保LED在不同亮度下的稳定工作。其低导通电阻有助于降低发热,提高系统的整体能效。 6. 工业自动化 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等设备中,IRF2804S-7PPBF可以用于信号隔离、负载切换等功能,确保系统的可靠性和安全性。 总结 IRF2804S-7PPBF凭借其优异的电气特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理、LED驱动及工业自动化等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,使其成为高效率、高性能功率转换应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 A |
| Id-连续漏极电流 | 320 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2804S-7PPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF2804S-7PPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 毫欧 @ 160A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
| 其它名称 | Q3453559 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 330W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
| 封装/箱体 | D2PAK-7 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 160A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf2804s7p.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf2804s7p.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quint Source |