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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5833NWFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5833NWFT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5833NWFT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMFS5833NWFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMFS5833NWFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的NVMFS5833NWFT1G是一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好热性能,适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路等,提高电源转换效率。 2. 负载开关:在服务器、笔记本电脑、移动设备中作为高侧或低侧开关,控制电源分配。 3. 马达驱动:用于小型电机控制电路中,实现高效能和快速开关。 4. 工业控制:如PLC、传感器模块、工业自动化设备中的电源控制部分。 5. 消费类电子产品:如智能家电、电源适配器、LED照明驱动等。 由于其采用TDFN封装,体积小、散热好,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFS5833NWFT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1714pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 40A, 10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta) |