ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STP80NF70
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP80NF70产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP80NF70由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80NF70价格参考。STMicroelectronicsSTP80NF70封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 68V 98A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP80NF70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP80NF70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP80NF70 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 700V 的高击穿电压和 80mΩ 的导通电阻(Rds(on)),适用于多种高压、高效能的电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) STP80NF70 可用于开关电源中的功率开关器件,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其高耐压特性使其适合用于需要处理高电压输入的应用场景,如工业电源、适配器和充电器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、泵或压缩机。其低导通电阻有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,STP80NF70 可作为功率开关元件,实现高效的直流到交流转换。 4. 电池管理系统 (BMS) 该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关,确保电池在安全范围内工作。 5. 负载开关 在需要控制高电压负载的系统中,STP80NF70 可用作负载开关,快速开启或关闭负载以节省能源。 6. 电动工具 该 MOSFET 的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合应用于电动工具的功率控制电路中,提供高效且可靠的性能。 7. 汽车电子 在汽车应用中,STP80NF70 可用于启动系统、照明控制、电动车窗和其他需要高压切换的场景。 总之,STP80NF70 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域中的高压功率管理与控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 68V 98A TO-220ABMOSFET N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 98 A |
| Id-连续漏极电流 | 98 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80NF70STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP80NF70 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10964-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF244896?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 68V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 98A (Tc) |
| 系列 | STP80NF70 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |