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- 型号： STW13NB60
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW13NB60由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW13NB60价格参考。STMicroelectronicsSTW13NB60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW13NB60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW13NB60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STW13NB60是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件耐压高达600V，适合用于高电压、中等电流的开关应用场合。 STW13NB60主要应用于开关电源（SMPS），如AC-DC转换器、离线式电源适配器和工业电源系统。其高击穿电压和良好的导通特性使其在PFC（功率因数校正）电路中表现优异，广泛用于提升电源能效、满足能效标准（如能源之星）。此外，该MOSFET也适用于照明电源，如LED驱动电源模块，支持稳定高效的直流输出。 在消费类电子和工业控制领域，STW13NB60可用于电机驱动电路中的高频开关控制，例如小型家电或风扇控制器。由于具备较高的开关速度和较低的导通损耗，有助于减小系统体积并提升整体效率。 该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和可靠性，适合在较高温度环境下工作，常见于紧凑型、高密度设计的电源产品中。 总之，STW13NB60凭借其高耐压、高效能和稳定性，广泛应用于各类电力转换与控制场景，尤其适合对能效和可靠性要求较高的中高功率电源系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW13NB60 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-2772-5 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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