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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM90N06-4M4P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM90N06-4M4P-E3价格参考。VishaySUM90N06-4M4P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM90N06-4M4P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM90N06-4M4P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM90N06-4M4P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的开关性能,适用于多种电源管理和功率转换场景。 其典型应用场景包括: 1. DC-DC 转换器:广泛用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的降压(Buck)或升压(Boost)转换电路,提供高效电能转换。 2. 电源管理单元(PMU):在便携式电子产品如智能手机、平板电脑中,用于电池供电系统的开关控制与节能管理。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,常见于家电、电动工具和工业自动化设备。 4. 热插拔电路与负载开关:因其快速响应和低损耗特性,适合用于服务器背板、USB电源控制等需要安全上电的应用。 5. LED 驱动电源:在中高功率 LED 照明系统中作为开关元件,实现恒流控制与高效调光。 SUM90N06-4M4P-E3 采用先进封装技术,具备良好的散热性能和可靠性,符合 RoHS 环保标准,适用于对空间紧凑性和能效要求较高的现代电子设备。其额定电压为 60V,适合中低压功率应用,是工业、消费类及通信领域中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 6.19 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKMOSFET 60V 90A 300W 4.4mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM90N06-4M4P-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM90N06-4M4P-E3SUM90N06-4M4P-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6190pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.4 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | SUM90N06-4M4P-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |