Datasheet下载- 型号： SI3443DVTR
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3443DVTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3443DVTR价格参考。International RectifierSI3443DVTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3443DVTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3443DVTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SI3443DVTR 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用小型化封装（如TSOP-6或类似封装），具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，适用于空间受限且对能效要求较高的应用。 SI3443DVTR广泛应用于便携式电子设备和电源管理系统中，典型使用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的负载开关、电源开关和电池管理电路；也可用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，提升电源转换效率；此外，在USB供电（如USB Type-C）接口的电源控制、过流保护及热插拔电路中也发挥重要作用。 由于其具备快速开关响应和低功耗特性，该MOSFET还常见于各类低电压、中低电流的开关电源和电机驱动模块中，适用于需要高效节能和紧凑设计的工业控制、智能家居设备和通信模块。 总之，SI3443DVTR凭借其高可靠性与优异电气性能，主要服务于高集成度、低功耗的现代电子系统，尤其适合对体积和能效敏感的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3443DVTR |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1079pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | SI3443DVDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
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