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详细数据请看参考数据手册

型号： FQD2N80TM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQD2N80TM产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N80TM价格参考￥2.06-￥2.36。Fairchild SemiconductorFQD2N80TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载FQD2N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美）的FQD2N80TM是一款高压MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具体为单N沟道增强型MOSFET，耐压高达800V，适用于高电压、低电流开关场景。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如适配器、充电器和电源模块，作为主开关器件，实现高效电能转换。

2. LED照明驱动：适用于高压LED灯串驱动电路，尤其在户外照明、路灯及工业照明系统中，支持高效率和高可靠性运行。

3. 电机控制与驱动：用于小功率电机控制，如家用电器中的风机、泵类设备，在需要高压隔离和节能控制的场合表现优异。

4. 待机电源与辅助电源：在电视、显示器等消费电子产品中，用于待机电源电路，实现低功耗与快速响应。

5. 工业电源系统：应用于工业控制设备、UPS不间断电源和高压偏置电源中，提供稳定可靠的开关性能。

FQD2N80TM采用紧凑的表面贴装封装（如TO-252/DPAK），有助于节省PCB空间，同时具备良好的散热性能，适合自动化生产。其高击穿电压和优化的导通电阻使其在高压轻载应用中具有出色的能效和可靠性，是中小功率高压电源设计中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKMOSFET 800V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.8 A
Id-连续漏极电流	1.8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2N80TMQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQD2N80TM
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.3 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	6.3 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	30 ns
下降时间	28 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	550pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.3 欧姆 @ 900mA，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	FQD2N80TMCT
典型关闭延迟时间	25 ns
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	2.4 S
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.8A （Tc）
系列	FQD2N80
通道模式	Enhancement
配置	Single