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NTS4409NT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTS4409NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTS4409NT1G价格参考。ON SemiconductorNTS4409NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 700mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323)。您可以下载NTS4409NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTS4409NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTS4409NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):NTS4409NT1G 的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可用作主开关或同步整流器,提高效率并降低功耗。 - 负载开关:用于动态控制电路中的负载通断,例如 USB 充电端口的电流限制。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动应用,如玩具、风扇或微型泵。 - H 桥电路:在 H 桥中作为开关元件,用于双向电机控制。 3. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备中的电源管理模块。 - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路。 4. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于灯光控制、窗户升降器等低功率应用。 - 传感器接口:为汽车传感器提供稳定的电源输出。 5. 工业自动化 - 继电器替代:由于其快速切换能力和长寿命,可以替代传统机械继电器。 - 信号隔离与放大:用于工业控制系统中的信号处理。 6. 通信设备 - 基站辅助电路:在通信基站的辅助电源部分中使用。 - 数据传输接口保护:防止过流或过压对敏感组件造成损害。 7. 其他应用 - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED 或 LED 灯条,提供高效电流调节。 - 电池保护:在锂电池保护电路中,用于防止过充、过放或短路。 NTS4409NT1G 的典型工作电压范围为 20V,能够承受高达 2.4A 的连续漏极电流,因此它适合需要高性能、低功耗和紧凑设计的小功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTS4409NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTS4409NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.28 W |
| Pd-功率耗散 | 280 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 下降时间 | 8.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 600mA,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | NTS4409NT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 280mW |
| 功率耗散 | 0.28 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 350 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 750 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 700mA (Ta) |
| 系列 | NTS4409N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |