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Datasheet下载- 型号： SIR404DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIR404DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR404DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR404DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR404DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR404DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR404DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR404DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率开关的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于DC-DC转换器、电源适配器和电池管理系统中，因其导通电阻低、开关速度快，能有效提高电源效率。 2. 电机控制：在电动工具、电动车及工业自动化设备中，作为电机驱动电路中的功率开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：用于智能负载管理，如服务器、通信设备和消费类电子产品中的热插拔控制和过流保护。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，作为核心开关器件将直流电转换为交流电，提供稳定电力输出。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、LED照明驱动及车身控制模块等场景，具备良好的温度稳定性和可靠性。 该MOSFET采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，适用于需要节能与高性能的各类功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIR404DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8130pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR404DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
