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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8832由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8832价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8832封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB8832参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB8832 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8832 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能 MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压及优异的热性能,适合用于以下领域: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,提升能效并减小系统体积。 2. 电机驱动:适用于无人机、电动工具及工业自动化设备中的电机控制模块。 3. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备或电池供电系统中作为高效开关元件。 4. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动或电池管理系统(BMS),满足车规级可靠性需求。 其封装设计支持高电流承载能力,同时降低寄生电感,适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKMOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8832PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB8832 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 73 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 265nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.9 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB8832DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 34A (Ta), 80A (Tc) |
| 系列 | FDB8832 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |