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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC30APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC30APBF价格参考¥3.87-¥3.87。VishayIRFBC30APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFBC30APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC30APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFBC30APBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM),能够实现高效的电力转换和管理。 2. 电机控制:在小型电机驱动应用中,IRFBC30APBF可用于控制电机的速度和方向,提供稳定的电流输出。 3. 负载开关:作为负载开关使用时,它能够快速、可靠地接通或断开电路,同时减少能量损耗。 4. 电池保护:在电池管理系统中,该MOSFET可以用于防止过充、过放及短路等异常情况,保护电池安全。 5. 逆变器:用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中,以实现直流到交流的转换。 6. 汽车电子:适用于各种车载电子设备,如LED照明、电动窗户、座椅调节等功能模块。 7. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、平板充电器以及其他便携式设备中的电源解决方案。 由于其具备较低的导通电阻(Rds(on))和较高的电流处理能力,IRFBC30APBF能够在上述领域内提供出色的性能表现,同时支持紧凑型设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC30APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFBC30APBFIRFBC30APBF |
Pd-PowerDissipation | 74 W |
Pd-功率耗散 | 74 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFBC30APBF |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 74W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |