Datasheet下载- 型号： SUM110N06-3M4L-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110N06-3M4L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110N06-3M4L-E3价格参考。VishaySUM110N06-3M4L-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUM110N06-3M4L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM110N06-3M4L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SUM110N06-3M4L-E3 是 Vishay Siliconix 品牌下的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）： SUM110N06-3M4L-E3 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的开关电源设计，例如 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等。其 60V 的耐压能力可以满足大多数低压电源系统的应用需求。 2. 电机驱动与控制： 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可作为开关元件使用，实现对电机的启停、速度和方向的精确控制。其快速开关特性和低损耗有助于提高系统效率。 3. 负载切换与保护电路： 该器件适用于各种负载切换应用，如电池管理系统中的充放电路径控制、负载短路保护以及过流保护电路。其低导通电阻可减少功率损耗并提升热性能。 4. 消费电子设备： 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器及其他便携式电子设备中，SUM110N06-3M4L-E3 可用作功率管理模块的核心元件，提供高效的电力传输和分配。 5. LED 照明驱动： 对于 LED 驱动电路，尤其是恒流源设计，这款 MOSFET 能够提供稳定的电流输出，确保 LED 的亮度一致性和长时间运行的可靠性。 6. 工业自动化与控制： 在工业环境中，该 MOSFET 可用于传感器接口、信号调理电路及继电器替代方案，以实现更快速、更可靠的数字信号处理和模拟信号调节。 7. 通信设备： 在基站、路由器和其他通信基础设施中，SUM110N06-3M4L-E3 可用于电源管理单元，支持高效率的能量转换和分配。 总之，SUM110N06-3M4L-E3 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和高可靠性的各类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAKMOSFET 60V 110A 375W 3.4mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N06-3M4L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110N06-3M4L-E3SUM110N06-3M4L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 280 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM110N06-3M4L-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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