Datasheet下载- 型号： SI5443DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5443DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5443DC-T1-E3价格参考。VishaySI5443DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5443DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5443DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5443DC-T1-E3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型DFN1212封装，具有低导通电阻（典型RDS(on)约17mΩ）、低阈值电压和高开关效率。该器件适用于空间受限且对功耗敏感的便携式电子设备。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于电池供电系统的上电控制和节能管理；便携式医疗设备（如血糖仪、智能体温计）中作为低功耗开关元件；在无线耳机、智能手表等TWS音频设备中实现充电盒电源控制与过流保护；还可用于USB接口的电源开关或热插拔保护电路，防止短路和浪涌电流。 此外，SI5443DC-T1-E3也广泛应用于各类消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制，如LCD背光驱动开关、传感器电源控制等。其小尺寸封装适合高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化需求。凭借良好的热稳定性和可靠性，该MOSFET在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）稳定工作，适用于对环境适应性要求较高的嵌入式系统。总之，SI5443DC-T1-E3是高性能、小体积电源开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5443DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
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