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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌)的IPB107N20N3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET,属于200V耐压系列,采用TSDSON-8封装,具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于对效率和功率密度要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源转换:适用于开关电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器,特别是在服务器、通信设备和工业电源中,可提高能效并减少热损耗。 2. 电机驱动:用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的小型电机驱动电路,具备快速响应和高可靠性。 3. 照明系统:在LED驱动电源中作为主开关器件,支持高效率恒流输出,适用于商业和户外LED照明。 4. 新能源领域:可用于太阳能微型逆变器或储能系统的辅助电源模块,提升整体系统效率。 5. 消费电子:如大功率适配器、充电器(PD快充)等,满足小型化与高效能需求。 该MOSFET凭借其优化的栅极电荷和导通损耗,在高频工作条件下仍保持较低温升,适合紧凑型设计。同时,英飞凌先进的技术确保了良好的雪崩耐受能力和长期可靠性,适用于严苛的工业与消费环境。