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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C12S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C12S-7-F价格参考¥0.15-¥0.19。Diodes Inc.BZT52C12S-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323。您可以下载BZT52C12S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C12S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C12S-7-F是Diodes Incorporated生产的一款表面贴装齐纳二极管,属于BZT52系列,采用SOD-323封装,标称齐纳电压为12V(典型值),功率为200mW。该器件具有低动态电阻、高稳定性和良好的温度特性,适用于需要精确电压参考和稳压保护的电路。 主要应用场景包括: 1. 电压基准源:在模拟电路或电源管理模块中作为稳定的12V参考电压源,用于ADC、DAC或传感器信号调理电路。 2. 过压保护:常用于IC输入引脚、数据线或电源线路中,防止瞬态电压或浪涌对敏感元件造成损坏。 3. 电源稳压:在低功耗便携式设备(如智能手机、可穿戴设备)中,用于局部稳压或辅助电源调节。 4. ESD防护:因其快速响应特性,可用于静电放电(ESD)保护电路,提升系统可靠性。 5. 消费类电子产品:广泛应用于家电控制板、充电器、LED驱动电源等小型电子设备中,实现简单高效的电压钳位功能。 BZT52C12S-7-F体积小、可靠性高,适合高密度贴装设计,是成本敏感且空间受限应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 200MW SOD323稳压二极管 12V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C12S-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C12S-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | BZT52C12S-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 8 mV/C |
| 系列 | BZT52C12S |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
| 齐纳电压 | 12 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |