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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BLT1G价格参考。ON SemiconductorBC846BLT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 65V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BC846BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的BC846BLT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:信号放大、开关控制、音频电路、逻辑驱动及电源管理等。 在便携式电子设备(如手机、平板、可穿戴设备)中,BC846BLT1G常用于低功耗信号放大和开关电路,因其低饱和电压和快速开关特性,适合电池供电系统以提升能效。在消费类电子产品(如电视、音响、遥控器)中,它可用于音频前置放大或小信号处理模块。 此外,该器件也适用于工业控制电路,例如传感器信号调理、继电器驱动和逻辑电平转换。由于采用SOT-23小型封装,BC846BLT1G节省空间,适合高密度PCB布局。其符合RoHS标准且具有无铅环保设计,满足现代电子产品环保要求。 综上,BC846BLT1G凭借高可靠性、稳定性能和紧凑封装,广泛用于通信设备、消费电子、工业自动化及汽车电子中的小信号处理与开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 65V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT 100mA 80V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC846BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC846BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BC846BLT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC846BL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |