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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6401TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6401TR价格参考。International RectifierIRLML6401TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6401TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML6401TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLML6401TR 是一款N沟道MOSFET,属于低电压、低导通电阻的功率MOSFET器件,广泛应用于便携式和高效率电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:由于该MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)典型值约0.038Ω)和低阈值电压,适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理与电池开关控制,有助于降低功耗,提升能效。 2. 负载开关与电源切换:常用于DC-DC转换器、LDO后级的负载开关,实现对电路模块的上电/断电控制,防止电流倒灌或浪涌电流。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,尤其在低电压(如5V或3.3V系统)应用中表现优异。 4. 热插拔电路:可用于支持热插拔功能的接口或模块中,控制电源的平稳接入,保护系统免受冲击。 5. LED驱动与照明控制:在低功率LED调光或开关控制中作为高效开关元件使用。 6. 物联网(IoT)设备与传感器电源管理:因其小封装(SOT-23)、低功耗特性,非常适合空间受限的嵌入式系统和电池供电设备。 IRLML6401TR工作电压低(最大耐压30V),适合逻辑电平驱动(1.8V~4.5V栅极驱动即可完全导通),集成度高,可靠性强,是现代小型化、高效化电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRLML6401TR |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 4.3A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | *IRLML6401TR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml6401.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml6401.spi |