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FDP060AN08A0产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP060AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP060AN08A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP060AN08A0封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 16A(Ta),80A(Tc) 255W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP060AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP060AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP060AN08A0 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。以下是一些典型的应用场景: 1. 电源管理: - 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中,作为功率开关或同步整流器。其低导通电阻有助于提高效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动: - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,FDP060AN08A0 可以用作电机控制器的功率级元件,实现高效、可靠的电机驱动和速度控制。 3. 电池管理系统 (BMS): - 在电动汽车 (EV) 和储能系统中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路,确保电池在充放电过程中安全运行,防止过充、过放和短路。 4. 负载开关: - 该器件可以作为高效的负载开关,应用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中,实现对不同负载的快速切换和电源管理。 5. 逆变器: - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FDP060AN08A0 可用于将直流电转换为交流电,提供稳定可靠的输出电压。 6. 照明系统: - 在 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED,实现调光和恒流控制,确保照明系统的高效性和稳定性。 7. 通信设备: - 在基站、路由器和交换机等通信设备中,FDP060AN08A0 可用于电源模块,确保设备的稳定供电和高效运行。 总之,FDP060AN08A0 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220ABMOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP060AN08A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP060AN08A0 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 79 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta), 80A (Tc) |
| 系列 | FDP060AN08A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP060AN08A0_NL |